适用范围：

应用于第三代半导体材料碳化硅晶片的抛光工序，碳化硅材料具备超硬特性，常规氧化硅抛光液存在抛光效率慢的问题，

本产品在Si面碳化硅抛光上具有很好的表现，它有高效的去除速率，抛光后的碳化硅表面缺陷较少，同时在抛C面碳化硅

时亦可以获得良好的表面质量，从而确保被抛工件有较高的抛光效率及良品率，提高客户产品竞争力。

主要技术指标：